2017年2月号掲載企業一覧
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ADC070CSLH(10)-B

ADC070CSLH(10)-B

(サーキュレータ)

  • 周波数:65〜75MHz
  • 挿入損失:1.0dB max.
  • アイソレーション:17dB min.
  • VSWR:1.25:1 max.
  • 入力電力:100W max.
  • サイズ:69x90.65x26(mm)
  • 使用温度:0〜+60℃

製品の詳細情報

ADI012CSLH(50)-B

ADI012CSLH(50)-B

(アイソレータ)

  • 周波数:100〜150MHz
  • 挿入損失:1.0dB max.
  • アイソレーション:18dB min.
  • VSWR:1.3:1 max.
  • 入力電力:100W max.
  • サイズ:69x96.5x26(mm)
  • 使用温度:0〜+60℃

製品の詳細情報

BLF898

BLF898

(LDMOS)

  • 周波数:470〜800MHz
  • 出力:900W(P1dB)、180W(Pave)
  • ゲイン:18dB
  • 効率:28%
  • 使用電圧:50V

製品の詳細情報

BLC2425M8LS300P

BLC2425M8LS300P

(LDMOS)

  • 周波数:2400〜2500MHz
  • 出力:300W(P1dB)、300W(Pave)
  • ゲイン:17.5dB
  • 効率:58%
  • 使用電圧:32V

製品の詳細情報

CMPA2735075F

CMPA2735075F

(GaN MMIC HEMT)

  • 周波数:2.7〜3.5GHz
  • ゲイン:27dB
  • 出力:80W(Psat)
  • 効率:56%(Psat)
  • 使用電圧:28V

製品の詳細情報

CGHV40030

CGHV40030

(GaN HEMT)

  • 周波数:DC〜6GHz
  • ゲイン:16dB
  • 出力:30W(Psat)
  • 効率:70%(Psat)
  • 使用電圧:50V

製品の詳細情報

CGHV35060MP

CGHV35060MP

(GaN HEMT)

  • 周波数:3.1〜3.5GHz
  • ゲイン:14.5dB
  • 出力:75W
  • 効率:76%
  • 使用電圧:50V

製品の詳細情報

CGHV27015S

CGHV27015S

(GaN HEMT)

  • 周波数:2.4〜2.7GHz
  • ゲイン:21dB(2.5W Pave)
  • 出力:15W
  • 効率:32%(2.5W Pave)
  • 使用電圧:50V

製品の詳細情報

XHF2-912+

XHF2-912+

(High Pass Fiter)

  • 使用周波数:9.1〜30GHz
  • 挿入損失(パスバンド):1.5dB
  • ストップバンド:6.9dB(DC〜1.4GHz)、14.3dB(1.4〜7.1GHz)
  • カットオフ周波数:8.2GHz(3dB)
  • インピーダンス:50Ω
  • サイズ:2.0x2.0x1.0(mm)

製品の詳細情報

BFCN-5200+

BFCN-5200+

(Band Pass Fiter)

  • 使用周波数:4.25〜6.3GHz
  • 挿入損失(パスバンド):1.8dB typ. 3.5dB max.
  • ストップバンド:23dB(Lower 3.3GHz)、21dB(Upper 7.5〜9GHz)
  • インピーダンス:50Ω
  • サイズ:3.2x1.6x0.96(mm)

製品の詳細情報

RVA-6000+

RVA-6000+

(電圧可変減衰器)

  • 周波数:2〜6GHz
  • 挿入損失:3.3dB typ.(2〜4GHz)、3.5dB typ.(4〜6GHz)
  • 最大減衰量:37.7dB typ.(2〜4GHz)、32.7dB typ.(4〜6GHz)
  • 制御電圧:0〜12V
  • 使用電源:5V
  • サイズ:12.7x12.7x2.54(mm)

製品の詳細情報

TCBT-123+

TCBT-123+

(バイアスティ)

  • 周波数:10〜12000MHz
  • 挿入損失:0.1dB typ.(10〜100MHz)、0.3dB typ.(100〜6000MHz)、0.8dB typ.(6〜12GHz)
  • 最大入力:30dBm
  • 電圧:25V max.
  • 電流:200mA max.
  • サイズ:3.81x3.81x3.56(mm)

製品の詳細情報

CGY2351UH/C1

CGY2351UH/C1

(GaAs MMIC 位相器+減衰器 Chip Die)

  • 周波数:27〜30GHz
  • 位相シフト:6bit 360°
  • 減衰:5bit 22dB max.
  • 入力リターンロス:15dB
  • 出力リターンロス:15dB
  • 使用電源:5V-5V
  • 消費電流:15mA
  • chipサイズ:4.8x1.6(mm)

製品の詳細情報

CGY2392SHV/C1

CGY2392SHV/C1

(GaAs MMIC 位相器)

  • 周波数:6〜18GHz
  • 挿入損失:10.8dB@12GHz
  • 位相範囲:360°
  • 位相差:1.9°@12GHz
  • 振幅偏差:0.45dB@12GHz
  • 使用電源:5V-0V
  • パッケージサイズ:5x5(mm)
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製品の詳細情報

PE82P2000

PE82P2000

(位相器)

  • 周波数:5〜18GHz
  • 位相範囲:400°(5〜10GHz)、200°(10〜13GHz)、120°(13〜18GHz)
  • 位相誤差:±10°
  • 制御電圧:0〜10V
  • 入力リターンロス:8dB
  • 出力リターンロス:8dB
  • 最大入力:1W
  • サイズ:27.43x18.03x7.37(mm)

製品の詳細情報

PE88X2002

PE88X2002

(マルチプライヤー)

  • X2マルチプライヤー
  • 入力周波数:16〜23GHz
  • 出力周波数:32〜46GHz
  • 出力:+13dBm typ.
  • 使用電源:5V
  • 電流:70mA
  • サイズ:27.58x21.59x7.11(mm)
  •  
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製品の詳細情報

PE15A5033F

PE15A5033F

(高出力増幅器)

  • 周波数:0.7〜2.7GHz
  • 出力:100W(Psat)
  • ゲイン:45dB
  • ゲイン平坦値:±1.5dB
  • 効率:30%(PAE)
  • 使用電源:30V
  • 電流:16,666mA
  • サイズ:273.05X177.8X95.25(mm)

製品の詳細情報

PE-W10AT5001

PE-W10AT5001

(導波管可変減衰器)

  • 周波数:75〜110GHz
  • 可変減衰範囲:50dB
  • 減衰誤差:±2% typ.
  • 挿入損失:1dB Max.
  • 最大入力:0.2W.
  • WR-10/UG-387/U-Mod Flange
  • サイズ:121.16x96.1(mm)
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製品の詳細情報

RTH07003-20D

RTH07003-20D

(GaN ハイブリット増幅器)

  • 周波数:773〜783MHz
  • ゲイン:30dB
  • 効率:38%
  • 出力:34.7dBm(Pave)、42.2dBm(Psat)
  • 使用電源:30V 5V(Vds) -4.5V -2.8(Vgs)
  • サイズ:32x20x4.2(mm)
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製品の詳細情報

RRP162168020-17A

RRP162168020-17A

(GaN パルス増幅器)

  • 周波数:16.2〜16.8GHz
  • ゲイン:17dB
  • 効率:25%
  • 出力:20W(パルス)
  • パルスドループ:1dB
  • デュティー:6%
  • パルス幅:7.5μs
  • 使用電源:50V(Vds) -4V(Vgs)
  • サイズ:50x35x11.6(mm)

製品の詳細情報

RRP162168050-05A

RRP162168050-05A

(GaN パルス増幅器)

  • 周波数:16.2〜16.8GHz
  • ゲイン:5dB
  • 効率:30%
  • 出力:50W(パルス)
  • パルスドループ:1dB
  • デュティー:6%
  • パルス幅:7.5μs
  • 使用電源:50V(Vds) -3V(Vgs)
  • サイズ:27x35x15.6(mm)

製品の詳細情報

RRP56571K0-41

RRP56571K0-41

(GaN パルス増幅器)

  • 周波数:5.6〜5.7GHz
  • ゲイン:41dB
  • 効率:35%
  • 出力:1200W(パルス幅 100usec ディーテー10%)
  • 使用電源:12V/50V(Vds)
  • サイズ:190x95x22(mm)
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製品の詳細情報