エム・アールエフ株式会社

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半導体デバイス

FET・HEMT

FET(Field Effect Transistor:電界効果トランジスタ)は、ゲート電極で生じる電界によりソース・ドレイン間の電流の流れを制御するトランジスタです。より高速に電子を移動させるために登場したHEMT(High Electron Mobility Transistor:高電子移動度トランジスタ)は、その名の通り電子の移動が早いことが特徴で、近年の高周波数化の実現に寄与しています。

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