エム・アールエフ株式会社

製品ラインアップ

表面実装タイプ 減衰器 - バリー (Barry Industries Inc.)

バリー社の減衰器（アッテネータ）は、小信号、大電力、ミリ波領域に至るまで、幅広いお客さまのニーズにお応えします。実装方法、形状、サブストレート材もさまざまなものがあります。

 

特に10GHz以上の高い周波数での使用をご検討の方は下記「形状別実装方法の詳細」を、ハイパワーパルスでのご使用をご検討の方は「ハイパワーパルスが用いられるシステムへの部品採用選定に役立つ情報」をご参照ください。

バリー社表面実装減衰器・主要諸元

サイズ 0405 ~ 3737
サブストレート Al2O3（アルミナ）,

AlN（窒化アルミニウム） またはBeO（酸化ベリリウム）
減衰値 0 dB ~ 32 dB*1
公差 ±0.25 dB*2
形状 チップ、リード、フランジ
実装方法 ハンダリフロー、エポキシボンディング、ワイヤボンディング
性能保証温度範囲 -55℃ ~ +150℃
納入形態 テープ&リール、ワッフルパック
環境対応 RoHS, Sn62
非磁性品対応 あり

 

*1: 減衰値性能は周波数、サブストレート材料、実装方法に依存します

*2: DC条件にて

バリー社 表面実装「減衰器」・チップタイプ

 

バリー社のチップタイプ減衰器には減衰値はもちろん、下記の形状がラインナップされています。

 

 

チップタイプ「減衰器」形状バリエーション
形状記号 説明 図
AP 本体の両端を電極が包み込む形の構造 バリーアッテネータAPパッケージ
AV (AVC) 本体の片面を電極が包み込む形の構造 バリーアッテネータAVパッケージ
AK 両側の電極が本体側面の半分程度を包む形の構造 バリーアッテネータAKパッケージ
AT (ATC) 本体の3側面を電極が包み込む形の構造 バリーアッテネータATパッケージ
AS 本体の片面にすべての電極が配されたフリップチップ型の構造 バリーアッテネータASパッケージ
AM ASタイプ同様のフリップチップ構造に加え、裏面の全体を放熱用金属面とし、ヒートシンクとの接触面積を最大化した構造 バリーアッテネータAMパッケージ
AB 内部回路がバランスパイ型の減衰器 バリーアッテネータABパッケージ

 

 

さらに、サブストレート材料、電極材料により、ニーズにマッチしたタイプの製品を選択いただくことができます。

 

チップタイプ、リードタイプ、フランジタイプ、それぞれの減衰器（アッテネータ）についての商品情報は下記リンクのメーカーページをご覧ください。

 

注目の製品 - 30 GHz 対応の減衰器

 

表面実装タイプの減衰器としては特筆すべき、30 GHzまでをカバーする製品がリリースされています。

 

注: 30 GHzまでに対応するRF特性を得るためには、基板にキャビティーを施し、当減衰器を埋め込み、ワイヤボンディングで実装していただく必要があります。詳細はお問い合わせください。

 

参考資料

サブストレート材料の説明はこちらをご覧ください。

形状別実装方法の詳細はこちらをご覧ください（英文）。

ハイパワーパルスが用いられるシステムへの部品採用選定に役立つ情報はこちらをご覧ください。

 

 

 

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