窒化ガリウム(以下GaN)は化合物半導体であり、シリコン系のLDMOSよりもさらに高い周波数までカバーできるパワートランジスタです。
アンプレオン (Ampleon)のGaNトランジスタは、耐電圧、高効率特性にもすぐれており、これからのパワーアンプ等として期待されています。


窒化ガリウム(以下GaN)は化合物半導体であり、シリコン系のLDMOSよりもさらに高い周波数までカバーできるパワートランジスタです。
アンプレオン (Ampleon)のGaNトランジスタは、耐電圧、高効率特性にもすぐれており、これからのパワーアンプ等として期待されています。