窒化ガリウム（以下GaN）は化合物半導体であり、シリコン系のLDMOSよりもさらに高い周波数までカバーできるパワーアンプです。

また、耐電圧、高効率特性にもすぐれており、これからのパワーアンプとして期待されています。

● Sバンド、Cバンドなどのレーダー向けパワーアンプ

● 携帯基地局向けのパワーアンプ

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● CLF3H0035(S)-100

● CLF3H0060(S)-30

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